IQE036N08NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE036N08NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC015N06NM5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE036N08NM6ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Hộp | PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C (junction, per datasheet) | -55 C to +175 C |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse, per datasheet) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |