IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE036N08NM6CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE020N04LM6CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQE020N04LM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| العلبة / الحالة | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 6, TrenchFET-class |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | Single N-Channel, source-down |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | -55°C to +150°C |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 166 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 107 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | — | 2.0 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| العلبة | — | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) |
| مستوى MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |