IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE065N10NM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE220N15NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| العلبة | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14.4 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 340 pF |
| تكوين الخرج | — | Single N-Channel |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| مستوى MSL | — | 1 |