IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE220N15NM5CGATMA1 بواسطة Infineon و IQE036N08NM6CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE220N15NM5CGATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 22 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| العلبة | PG-TTFN-9-3 (Source-Down) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (estimated from Tj max) | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 5 | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| عدد الأطراف | 9 (TTFN) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |