IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE220N15NM5CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE036N08NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE220N15NM5CGATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 22 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (Source-Down) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (estimated from Tj max) | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 5 | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| پن کی تعداد | 9 (TTFN) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |