IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs ISCH99N04NM7VATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بواسطة Infineon و ISCH99N04NM7VATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | ISCH99N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 422 A | — |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | 0.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | +175 degrees C | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 degrees C to +175 degrees C | — |
| العلبة | PG-TTFN-9-3 | PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench-Gate) | OptiMOS 7 Trench Power MOSFET |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade per Infineon datasheet | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current at Ta (I_D) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) | — | 284 A |
| Power Dissipation at Ta (P_D) | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc (P_D) | — | 150 W |
| Gate Threshold Voltage (V_th) | — | Up to 3.2 V |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Target Application | — | 12 V to 48 V Motor Drives |