IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQEH84NE2LM7UCGATMA1 بواسطة Infineon و IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQEH84NE2LM7UCGATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench MOSFET) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 107 W | — |
| RDS(on) @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Switching Application | Hard- and soft-switching | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |