IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH84NE2LM7UCGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQEH84NE2LM7UCGATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench MOSFET) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 107 W | — |
| RDS(on) @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Switching Application | Hard- and soft-switching | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |