IQFH55N04NM6ATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQFH55N04NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IQFH55N04NM6ATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C 53 A —
Pulsed Drain Current @ TC=25°C 451 A —
Static R_DS(on) (typ) 0.55 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 214 W —
العلبة PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) PG-TTFN-9-3
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) OptiMOS 7 (Trench-Gate)
حالة RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 [DATA_NEEDED: automotive qualification status] —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 degrees C to +175 degrees C
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر