IR2011SPBF vs IR2127SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2011SPBF بواسطة Infineon و IR2127SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2011SPBF IR2127SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting —
عدد المخارج 2 1
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns 150 ns
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) dV/dt immune, negative transient tolerant
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Channel Type — Single-channel, High-Side
Gate Driver Configuration — Non-Inverting Input
Peak Source Current (typ) — 0.25 A
Peak Sink Current (typ) — 0.5 A
Maximum Offset Voltage (High-Side) — +600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V to VCC
Rise Time (typ, 1 nF load) — 80 ns
Fall Time (typ, 1 nF load) — 40 ns
Protection Features — Overcurrent detection with DESAT-style comparator, fault output
درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +125 °C
حالة RoHS — Compliant (Pb-free suffix PBF)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر