IR2011SPBF vs IR2127SPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IR2011SPBF bằng Infineon và IR2127SPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IR2127SPBF IR2127SPBF - 600V High-Side Gate Driver | Infineon | 8-SOIC

IR2127SPBF - 600V High-Side Gate Driver | Infineon | 8-SOIC

IR2127SPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IR2011SPBF IR2127SPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting —
Số lượng đầu ra 2 1
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns 150 ns
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) dV/dt immune, negative transient tolerant
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40 C to +125 C —
Hộp 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Channel Type — Single-channel, High-Side
Gate Driver Configuration — Non-Inverting Input
Peak Source Current (typ) — 0.25 A
Peak Sink Current (typ) — 0.5 A
Maximum Offset Voltage (High-Side) — +600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V to VCC
Rise Time (typ, 1 nF load) — 80 ns
Fall Time (typ, 1 nF load) — 40 ns
Protection Features — Overcurrent detection with DESAT-style comparator, fault output
Nhiệt độ hoạt động — -40 °C to +125 °C
Trạng thái RoHS — Compliant (Pb-free suffix PBF)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá