IR2011SPBF vs IR2127SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2011SPBF от Infineon и IR2127SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2127SPBF IR2127SPBF - 600V High-Side Gate Driver | Infineon | 8-SOIC

IR2127SPBF - 600V High-Side Gate Driver | Infineon | 8-SOIC

IR2127SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2011SPBF IR2127SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,18 $0,74
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting —
Количество выходов 2 1
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns 150 ns
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) dV/dt immune, negative transient tolerant
Диапазон рабочих температур -40 C to +125 C —
Корпус 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Channel Type — Single-channel, High-Side
Gate Driver Configuration — Non-Inverting Input
Peak Source Current (typ) — 0.25 A
Peak Sink Current (typ) — 0.5 A
Maximum Offset Voltage (High-Side) — +600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V to VCC
Rise Time (typ, 1 nF load) — 80 ns
Fall Time (typ, 1 nF load) — 40 ns
Protection Features — Overcurrent detection with DESAT-style comparator, fault output
Рабочая температура — -40 °C to +125 °C
Статус RoHS — Compliant (Pb-free suffix PBF)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену