IR2011SPBF vs IR2127SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2011SPBF von Infineon und IR2127SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2011SPBF IR2127SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $0,74
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting —
Anzahl der Ausgänge 2 1
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns 150 ns
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) dV/dt immune, negative transient tolerant
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Gehäuse 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Channel Type — Single-channel, High-Side
Gate Driver Configuration — Non-Inverting Input
Peak Source Current (typ) — 0.25 A
Peak Sink Current (typ) — 0.5 A
Maximum Offset Voltage (High-Side) — +600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V to VCC
Rise Time (typ, 1 nF load) — 80 ns
Fall Time (typ, 1 nF load) — 40 ns
Protection Features — Overcurrent detection with DESAT-style comparator, fault output
Betriebstemperatur — -40 °C to +125 °C
RoHS-Status — Compliant (Pb-free suffix PBF)

Datenblätter & Ressourcen

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