IR2011SPBF vs IR2127SPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2011SPBF توسط Infineon و IR2127SPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2011SPBF IR2127SPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting —
تعداد خروجی‌ها 2 1
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns 150 ns
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) dV/dt immune, negative transient tolerant
محدوده دمای کاری -40 C to +125 C —
بسته‌بندی 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Channel Type — Single-channel, High-Side
Gate Driver Configuration — Non-Inverting Input
Peak Source Current (typ) — 0.25 A
Peak Sink Current (typ) — 0.5 A
Maximum Offset Voltage (High-Side) — +600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V to VCC
Rise Time (typ, 1 nF load) — 80 ns
Fall Time (typ, 1 nF load) — 40 ns
Protection Features — Overcurrent detection with DESAT-style comparator, fault output
دمای کاری — -40 °C to +125 °C
وضعیت RoHS — Compliant (Pb-free suffix PBF)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت