IR2109SPBF vs IR2304SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2109SPBF بواسطة Infineon و IR2304SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2109SPBF IR2304SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
زمن الصعود 200 ns —
زمن السقوط 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +150 C —
العلبة SOIC-8 8-Pin SOIC (SO-8 N)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
عدد المخارج — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر