IR2109SPBF vs IR2304SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2109SPBF מאת Infineon ו IR2304SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2109SPBF IR2304SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
זמן עלייה 200 ns —
זמן ירידה 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
טמפרטורת צומת פעולה -40 C to +150 C —
מארז SOIC-8 8-Pin SOIC (SO-8 N)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
מספר יציאות — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר