IR2109STRPBF vs IR2109SPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2109STRPBF بواسطة Infineon و IR2109SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IR2109STRPBF | IR2109SPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | — |
| Configuration | Half-Bridge (High-Side + Low-Side) | — |
| عدد المخارج | 2 (High-Side / Low-Side) | — |
| High-Side Offset Voltage (Max) | 600 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | 10 V to 20 V |
| Peak Source Output Current | 0.2 A (typ) | — |
| Peak Sink Output Current | 0.35 A (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 750 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| ton / toff (typ) | 540 ns | — |
| Input Logic | Non-Inverting | — |
| UVLO | Yes (VCC and VBS) | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | Integrated |
| Dead Time Control | Built-in | — |
| dV/dt Immunity | Yes | — |
| Negative VS Transient Tolerance | Yes | — |
| العلبة | 8-SOIC (3.90 mm Width) | SOIC-8 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge |
| Number of Drivers | — | 2 (high-side + low-side) |
| High-Side Voltage Tolerance | — | 600 V |
| Source Current (typical) | — | 0.2 A |
| Sink Current (typical) | — | 0.35 A |
| Turn-On Propagation Delay | — | 150 ns |
| Turn-Off Propagation Delay | — | 150 ns |
| زمن الصعود | — | 200 ns |
| زمن السقوط | — | 50 ns |
| Quiescent VCC Current | — | 1 mA |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V CMOS / TTL |
| Undervoltage Lockout | — | Yes (VCC) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -40 C to +150 C |