IR2109STRPBF vs IR2109SPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2109STRPBF द्वारा Infineon और IR2109SPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IR2109STRPBF IR2109STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109STRPBF ✓ सक्रिय
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IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2109STRPBF IR2109SPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
आउटपुट की संख्या 2 (High-Side / Low-Side) —
High-Side Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Peak Source Output Current 0.2 A (typ) —
Peak Sink Output Current 0.35 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 750 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
ton / toff (typ) 540 ns —
Input Logic Non-Inverting —
UVLO Yes (VCC and VBS) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Dead Time Control Built-in —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
पैकेज 8-SOIC (3.90 mm Width) SOIC-8
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +125 C —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
राइज़ टाइम — 200 ns
फॉल टाइम — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -40 C to +150 C

डेटाशीट और संसाधन

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