IR2110SPBF vs 2ED2738S01GXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2110SPBF بواسطة Infineon و 2ED2738S01GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2110SPBF 2ED2738S01GXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-bridge gate driver —
البنية الطوبولوجية High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Output Current (Source, peak) — 4.0 A
Output Current (Sink, peak) — 8.0 A
Output Current (Source, typ) — 1.0 A
Output Current (Sink, typ) — 2.0 A
عدد المخارج — 1
Input Type — Non-Inverting
Input Logic Compatibility — TTL
Supply Voltage (VDD/VCC) — 6 V to 20 V
Bootstrap Supply Voltage — Up to 600 V (HS pin rating)
Propagation Delay (typ) — 120 ns
Channel-to-Channel Match — 40 ns
Rise/Fall Time (1 nF load) — 1.5 ns / 1.5 ns
Negative Transient Immunity (HS) — -10 V to +20 V transient
Under-Voltage Lockout — VCC and Bootstrap
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
مستوى MSL — 2 (1 year)
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر