IR2114SSTRPBF vs IRS2011STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2114SSTRPBF بواسطة Infineon و IRS2011STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2114SSTRPBF IRS2011STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side, Independent Channels
Driver Type High-side and Low-side Gate Driver —
Number of Drivers 2 —
Input Type Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 11.5 V to 20 V 10 V to 20 V
Floating Channel Voltage 600 V (max) —
Peak Source Current 2 A (typical) —
Peak Sink Current 3 A (typical) —
Propagation Delay 440 ns (typical) —
Rise Time (typ) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: fall time] —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C
العلبة / الحالة 24-SSOP (0.209, 5.30 mm Width) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Protection Features DESAT short-circuit detection, soft over-current shutdown —
FAULT/SD Logic 3.3 V-compatible CMOS, bidirectional —
الوظيفة — Half-Bridge Gate Driver
عدد المخارج — 2
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
العلبة — 8-SOIC (DSO-8)
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر