IR2114SSTRPBF vs IRS2011STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2114SSTRPBF توسط Infineon و IRS2011STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2114SSTRPBF IRS2011STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side, Independent Channels
Driver Type High-side and Low-side Gate Driver —
Number of Drivers 2 —
Input Type Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 11.5 V to 20 V 10 V to 20 V
Floating Channel Voltage 600 V (max) —
Peak Source Current 2 A (typical) —
Peak Sink Current 3 A (typical) —
Propagation Delay 440 ns (typical) —
Rise Time (typ) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: fall time] —
دمای کاری -40 C to +125 C -40 C to +125 C
بسته‌بندی / کیس 24-SSOP (0.209, 5.30 mm Width) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Protection Features DESAT short-circuit detection, soft over-current shutdown —
FAULT/SD Logic 3.3 V-compatible CMOS, bidirectional —
عملکرد — Half-Bridge Gate Driver
تعداد خروجی‌ها — 2
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
بسته‌بندی — 8-SOIC (DSO-8)
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت