IR2117STRPBF vs IRS2104STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2117STRPBF بواسطة Infineon و IRS2104STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2117STRPBF IRS2104STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side Single Channel —
الوظيفة Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
عدد المخارج 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
زمن الصعود 80 ns (typ) —
زمن السقوط 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة / الحالة 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant (PbF suffix)
Lead-Free Yes —
مستوى MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 2 (1 year floor life per datasheet)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
البنية الطوبولوجية — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 150 ns
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Logic Input Compatibility — Standard CMOS / LSTTL
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40C to +150C
العلبة — 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Qualification Level — Industrial

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر