IR2117STRPBF vs IRS2104STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2117STRPBF מאת Infineon ו IRS2104STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRS2104STRPBF IRS2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2104STRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IR2117STRPBF IRS2104STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High-Side Single Channel —
פונקציה Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
מספר יציאות 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
זמן עלייה 80 ns (typ) —
זמן ירידה 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז / Case 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant (PbF suffix)
Lead-Free Yes —
רמת MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 2 (1 year floor life per datasheet)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
טופולוגיה — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 150 ns
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Logic Input Compatibility — Standard CMOS / LSTTL
טמפרטורת צומת פעולה — -40C to +150C
מארז — 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Qualification Level — Industrial

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר