IR2117STRPBF vs IRS2104STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2117STRPBF 제조: Infineon 및 IRS2104STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2117STRPBF IRS2104STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.58 $0.45
Configuration High-Side Single Channel —
기능 Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
출력 수 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
상승 시간 80 ns (typ) —
하강 시간 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune —
동작 온도 범위 -40 C to +125 C —
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant (PbF suffix)
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 2 (1 year floor life per datasheet)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
토폴로지 — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 150 ns
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Logic Input Compatibility — Standard CMOS / LSTTL
동작 접합 온도 — -40C to +150C
패키지 — 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Qualification Level — Industrial

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