IR21271SPBF vs IR2127SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21271SPBF بواسطة Infineon و IR2127SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21271SPBF IR2127SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Single-channel high-side gate driver with current sensing —
Technology HVIC and latch-immune CMOS —
Maximum Floating Supply Voltage 600 V —
Output Source Current 0.25 A —
Output Sink Current 0.5 A —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V (per related IR2127 datasheet family) —
Configuration High-side, low-side capable (floating channel) —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Input Type Non-inverting —
Negative Transient Tolerance (dV/dt) Tolerant —
Bootstrap Operation Supported (floating channel) —
Integrated Current Sensing Yes —
العلبة 8-SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
Lead Finish Lead-free (PbF) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C (industrial) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix PBF)
Number of Channels 1 —
Channel Type — Single-channel, High-Side
Gate Driver Configuration — Non-Inverting Input
عدد المخارج — 1
Peak Source Current (typ) — 0.25 A
Peak Sink Current (typ) — 0.5 A
Maximum Offset Voltage (High-Side) — +600 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune, negative transient tolerant
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V to VCC
Propagation Delay (typ) — 150 ns
Rise Time (typ, 1 nF load) — 80 ns
Fall Time (typ, 1 nF load) — 40 ns
Protection Features — Overcurrent detection with DESAT-style comparator, fault output
درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +125 °C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر