IR21271SPBF vs IR2127SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR21271SPBF מאת Infineon ו IR2127SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR21271SPBF IR2127SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Single-channel high-side gate driver with current sensing —
Technology HVIC and latch-immune CMOS —
Maximum Floating Supply Voltage 600 V —
Output Source Current 0.25 A —
Output Sink Current 0.5 A —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V (per related IR2127 datasheet family) —
Configuration High-side, low-side capable (floating channel) —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Input Type Non-inverting —
Negative Transient Tolerance (dV/dt) Tolerant —
Bootstrap Operation Supported (floating channel) —
Integrated Current Sensing Yes —
מארז 8-SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
Lead Finish Lead-free (PbF) —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C (industrial) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix PBF)
Number of Channels 1 —
Channel Type — Single-channel, High-Side
Gate Driver Configuration — Non-Inverting Input
מספר יציאות — 1
Peak Source Current (typ) — 0.25 A
Peak Sink Current (typ) — 0.5 A
Maximum Offset Voltage (High-Side) — +600 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune, negative transient tolerant
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V to VCC
Propagation Delay (typ) — 150 ns
Rise Time (typ, 1 nF load) — 80 ns
Fall Time (typ, 1 nF load) — 40 ns
Protection Features — Overcurrent detection with DESAT-style comparator, fault output
טמפרטורת פעולה — -40 °C to +125 °C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר