IR21271STRPBF vs IRS2005STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21271STRPBF بواسطة Infineon و IRS2005STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21271STRPBF IRS2005STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side or Low-Side —
عدد المخارج 1 2
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V [DATA_NEEDED: VCC range min/max]
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: rise time] —
زمن السقوط [DATA_NEEDED: fall time] —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-SOIC (3.90 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
الوظيفة — Half-Bridge Gate Driver
Driven Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Channel Type — Independent
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.6 A
Undervoltage Lockout — VCC and VBS UVLO integrated
Input Compatibility — 3.3 V / 5 V logic-level inputs
العلبة / الحالة — 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +125 °C
Packaging — Tape & Reel (TR)
Product Status — Active
حالة RoHS — Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر