IR21531STRPBF vs IRS2153DSPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21531STRPBF بواسطة Infineon و IRS2153DSPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21531STRPBF IRS2153DSPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge High-side + low-side driver, half-bridge
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
عدد المخارج 2 (high-side, low-side) 2 (HO, LO)
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
زمن الصعود 80 ns —
زمن السقوط 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 C to +125 C
العلبة 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
حالة RoHS Compliant (ROHS3) —
الوظيفة — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر