IR21531STRPBF vs IRS2153DSPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR21531STRPBF توسط Infineon و IRS2153DSPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR21531STRPBF IRS2153DSPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Half-Bridge High-side + low-side driver, half-bridge
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side, low-side) 2 (HO, LO)
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
زمان صعود 80 ns —
زمان افت 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
دمای کاری -40C to +125C -40 C to +125 C
بسته‌بندی 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
وضعیت RoHS Compliant (ROHS3) —
عملکرد — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت