IR21531STRPBF vs IRS2153DSPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR21531STRPBF מאת Infineon ו IRS2153DSPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR21531STRPBF IRS2153DSPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge High-side + low-side driver, half-bridge
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
מספר יציאות 2 (high-side, low-side) 2 (HO, LO)
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
זמן עלייה 80 ns —
זמן ירידה 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +125 C
מארז 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
סטטוס RoHS Compliant (ROHS3) —
פונקציה — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר