IR2181SPBF vs IR2181STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2181SPBF بواسطة Infineon و IR2181STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2181SPBF IR2181STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge (High Side + Low Side) —
عدد المخارج 2 (independent high-side and low-side) —
High-Side Offset Voltage Up to +600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VB-VS) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD/VSS) 3.3 V to 20 V (logic-level compatible) —
Source/Sink Drive Current 1.9 A source / 2.3 A sink (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, and 15 V logic 3.3 V and 5 V
Propagation Delay (typ.) 140 ns (typical) —
UVLO Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) Yes
Negative Transient on VS Tolerant —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Configuration — High and Low Side, Independent
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Current (Source) — 1.9 A peak
Output Current (Sink) — 2.3 A peak
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) — Up to 600 V offset
Propagation Delay (typ) — 180 ns
Rise Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: fall time]
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes
Undervoltage Lockout — Independent for high-side and low-side
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر