IR2181SPBF vs IR2181STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2181SPBF מאת Infineon ו IR2181STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2181SPBF IR2181STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High Side + Low Side) —
מספר יציאות 2 (independent high-side and low-side) —
High-Side Offset Voltage Up to +600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VB-VS) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD/VSS) 3.3 V to 20 V (logic-level compatible) —
Source/Sink Drive Current 1.9 A source / 2.3 A sink (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, and 15 V logic 3.3 V and 5 V
Propagation Delay (typ.) 140 ns (typical) —
UVLO Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) Yes
Negative Transient on VS Tolerant —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Configuration — High and Low Side, Independent
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Current (Source) — 1.9 A peak
Output Current (Sink) — 2.3 A peak
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) — Up to 600 V offset
Propagation Delay (typ) — 180 ns
Rise Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: fall time]
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes
Undervoltage Lockout — Independent for high-side and low-side
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר