IRF1310NPBF vs IRF540ZPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF1310NPBF بواسطة Infineon و IRF540ZPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF1310NPBF IRF540ZPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 36 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs value] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
العلبة TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Technology HEXFET HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر