IRF1310NPBF vs IRF540ZPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRF1310NPBF توسط Infineon و IRF540ZPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRF1310NPBF | IRF540ZPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs value] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | 175 C |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | — |
| بسته‌بندی | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3-lead) |
| نوع نصب | Through Hole | Through Hole |
| Technology | HEXFET | HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) |
| وضعیت RoHS | Compliant (PBF suffix) | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF540ZPBF |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | — | 36 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 26.5 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 42 nC |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25C | — | 92 W |
| محدوده دمای اتصال کاری | — | -55 C to +175 C |
| تعداد پایه | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Automotive Qualified | — | Yes (per datasheet description) |