IRF1310NPBF vs IRF540ZPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF1310NPBF por Infineon e IRF540ZPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF1310NPBF IRF540ZPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $0,62
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 36 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs value] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology HEXFET HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
Status RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

Fichas técnicas e recursos

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