IRF1310NPBF vs IRF540ZPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1310NPBF بذریعہ Infineon اور IRF540ZPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF1310NPBF IRF540ZPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 36 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs value] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C —
پیکیج TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Technology HEXFET HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix) Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں