IRF150P220AKMA1 vs IRFZ34NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF150P220AKMA1 بواسطة Infineon و IRFZ34NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF150P220AKMA1 IRFZ34NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF150P220AKMA1 —
Technology StrongIRFET HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C -55 C to +175 C
العلبة TO-247-3 (PG-TO247-3) TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Maximum Junction Temperature — 175 C
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Qualification — JEDEC standard
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر