IRF150P220AKMA1 vs IRFZ34NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF150P220AKMA1 מאת Infineon ו IRFZ34NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF150P220AKMA1 IRFZ34NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF150P220AKMA1 —
Technology StrongIRFET HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C -55 C to +175 C
מארז TO-247-3 (PG-TO247-3) TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Maximum Junction Temperature — 175 C
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Qualification — JEDEC standard
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר