IRF3205ZSTRLPBF vs IRLB4132PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF3205ZSTRLPBF بواسطة Infineon و IRLB4132PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF3205ZSTRLPBF IRLB4132PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 110 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة D2PAK (TO-263) —
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (left reel) —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 —
Body Diode Avalanche-rated intrinsic —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET (HEXFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 78 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 140 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 3.5 mOhm (typical)
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) — 1.0 V to 2.5 V
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Junction Temperature — 175 C
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C
العلبة / الحالة — TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free PBF suffix)
AEC-Q101 Automotive Qualification — Not qualified (industrial/commercial)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر