IRF3205ZSTRLPBF vs IRLB4132PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF3205ZSTRLPBF tarafından Infineon ve IRLB4132PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF3205ZSTRLPBF IRLB4132PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 110 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket D2PAK (TO-263) —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (left reel) —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 —
Body Diode Avalanche-rated intrinsic —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET (HEXFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 78 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 140 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 3.5 mOhm (typical)
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) — 1.0 V to 2.5 V
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Junction Temperature — 175 C
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free PBF suffix)
AEC-Q101 Automotive Qualification — Not qualified (industrial/commercial)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin