IRF3205ZSTRLPBF vs IRLB4132PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF3205ZSTRLPBF توسط Infineon و IRLB4132PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLB4132PBF IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF3205ZSTRLPBF IRLB4132PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 110 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263) —
نوع نصب Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (left reel) —
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL 1 —
Body Diode Avalanche-rated intrinsic —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET (HEXFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 78 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 140 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 3.5 mOhm (typical)
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) — 1.0 V to 2.5 V
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Junction Temperature — 175 C
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C
بسته‌بندی / کیس — TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free PBF suffix)
AEC-Q101 Automotive Qualification — Not qualified (industrial/commercial)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت