IRF7105PBF vs IRF7105TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7105PBF بواسطة Infineon و IRF7105TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7105PBF IRF7105TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRF7105PBF —
FET Type N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary) —
Technology HEXFET (Fifth Generation) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
العلبة / الحالة 8-SOIC (SO-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 8
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
RoHS Compliance Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Qualification Industrial —
Soldering Compatibility Vapor Phase, Infrared, Wave —
dv/dt Rating Dynamic (rated per datasheet) —
Part Series — IRF7105 (HEXFET Fifth Generation)
Polarity / Configuration — N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 25 V
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) — 3.5 A
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) — 2.3 A
Rds(on) Maximum — 100 mOhm
العلبة — 8-SO (SOIC-8)
Total Package Power Dissipation (Pd) — 2 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Packaging Form — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS Status — Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر