IRF7105PBF vs IRF7351TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7105PBF بواسطة Infineon و IRF7351TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7105PBF | IRF7351TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF7105PBF | IRF7351TRPBF |
| FET Type | N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary) | — |
| Technology | HEXFET (Fifth Generation) | IR MOSFET (HEXFET trench) |
| N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) | 25 V | — |
| P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) | 25 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 3.5 A | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A | — |
| Total Package Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| العلبة / الحالة | 8-SOIC (SO-8) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 | — |
| Qualification | Industrial | — |
| Soldering Compatibility | Vapor Phase, Infrared, Wave | — |
| dv/dt Rating | Dynamic (rated per datasheet) | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 8 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 17.8 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) | — | 0.0137 ohm (13.7 mOhm) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 24 nC |
| Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| العلبة | — | 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Typical Application | — | Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters |
| حالة RoHS | — | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free | — | Yes |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |