IRF7105PBF vs IRF7351TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7105PBF מאת Infineon ו IRF7351TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7105PBF IRF7351TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7105PBF IRF7351TRPBF
FET Type N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary) —
Technology HEXFET (Fifth Generation) IR MOSFET (HEXFET trench)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
מארז / Case 8-SOIC (SO-8) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
RoHS Compliance Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Qualification Industrial —
Soldering Compatibility Vapor Phase, Infrared, Wave —
dv/dt Rating Dynamic (rated per datasheet) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 8 A
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
Power Dissipation (PD) — 2 W
מארז — 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
סטטוס RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free — Yes
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר