IRF7306TRPBF vs IRFL4315TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7306TRPBF بواسطة Infineon و IRFL4315TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7306TRPBF IRFL4315TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity P-Channel (dual) —
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C —
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (junction) [DATA_NEEDED: T_J min/max]
العلبة 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) SOT-223
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TRPBF)
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) —
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D) at 25°C — 2.6 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: I_DM rating]
R_DS(on) max at V_GS=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Q_G — 12 nC
Gate-to-Source Voltage V_GS — ±30 V (max)
Continuous Source Current (Body Diode I_S) — 1.6 A
di/dt (Body Diode) — 230 A/μs
Power Dissipation (Ta) — 2.8 W
Qualification Standard — Industrial market (per Infineon datasheet)
Lead-Free / RoHS — Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر