IRF7306TRPBF vs IRFL4315TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7306TRPBF द्वारा Infineon और IRFL4315TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF - Dual P-Ch -30V 3.6A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7306TRPBF - Dual P-Ch -30V 3.6A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7306TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF - 150V N-Ch MOSFET, 2.6A, 185mΩ | Infineon

IRFL4315TRPBF - 150V N-Ch MOSFET, 2.6A, 185mΩ | Infineon

IRFL4315TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF7306TRPBF IRFL4315TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity P-Channel (dual) —
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C —
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C (junction) [DATA_NEEDED: T_J min/max]
पैकेज 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) SOT-223
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TRPBF)
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) —
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D) at 25°C — 2.6 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: I_DM rating]
R_DS(on) max at V_GS=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Q_G — 12 nC
Gate-to-Source Voltage V_GS — ±30 V (max)
Continuous Source Current (Body Diode I_S) — 1.6 A
di/dt (Body Diode) — 230 A/μs
Power Dissipation (Ta) — 2.8 W
Qualification Standard — Industrial market (per Infineon datasheet)
Lead-Free / RoHS — Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant

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