IRF7306TRPBF vs IRFL4315TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF7306TRPBF bằng Infineon và IRFL4315TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF - Dual P-Ch -30V 3.6A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7306TRPBF - Dual P-Ch -30V 3.6A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7306TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF - 150V N-Ch MOSFET, 2.6A, 185mΩ | Infineon

IRFL4315TRPBF - 150V N-Ch MOSFET, 2.6A, 185mΩ | Infineon

IRFL4315TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF7306TRPBF IRFL4315TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel (dual) —
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C —
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C (junction) [DATA_NEEDED: T_J min/max]
Hộp 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) SOT-223
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TRPBF)
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) —
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D) at 25°C — 2.6 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: I_DM rating]
R_DS(on) max at V_GS=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Q_G — 12 nC
Gate-to-Source Voltage V_GS — ±30 V (max)
Continuous Source Current (Body Diode I_S) — 1.6 A
di/dt (Body Diode) — 230 A/μs
Power Dissipation (Ta) — 2.8 W
Qualification Standard — Industrial market (per Infineon datasheet)
Lead-Free / RoHS — Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá