IRF7309TRPBF vs IRF7313TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7309TRPBF بواسطة Infineon و IRF7313TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7309TRPBF IRF7313TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] 1.0 V to 2.5 V (typical range)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
العلبة 8-SO (SOIC-8) 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
حالة RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7313TRPBF
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر