IRF7309TRPBF vs IRF7313TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7309TRPBF توسط Infineon و IRF7313TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7309TRPBF IRF7313TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] 1.0 V to 2.5 V (typical range)
محدوده دمای کاری -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
وضعیت RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7313TRPBF
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت