IRF7309TRPBF vs IRF7313TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7309TRPBF מאת Infineon ו IRF7313TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7309TRPBF IRF7313TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] 1.0 V to 2.5 V (typical range)
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
מארז 8-SO (SOIC-8) 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
סטטוס RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7313TRPBF
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר